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第49輯 >

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タイトル: シリコン熱酸化膜形成におけるオゾンの促進効果
その他のタイトル: Effects of Ozone on Thermal Oxidation of Silicon
著者: 清水, 秀己
種村, 修一
著者(訳): Shimizu, Hideki
Tanemura, Syuichi
出典: 愛知教育大学研究報告, 芸術・保健体育・家政・技術科学. 2000, 49, p.57-65.
出版者: 愛知教育大学
抄録: Thermal oxidation of Silicon a mixed oxygen and ozone ambient in the temperature range of 400℃-800℃ is reported. Beteen 400℃ and 600℃ a large enhancement in oxidation is observed compared with conventional oxide growth in a pure oxygen ambient. For temperature above 800℃ conventional thermal oxidation dominates and no significant enhancement is found. Effects of Ozone in short-time oxidation is more remarkable than in long-time oxidation, reflecting that surface reaction dominates in short-time oxidation.
URI: http://hdl.handle.net/10424/643
言語: ja
NII資源タイプ: Departmental Bulletin Paper
著者版フラグ: publisher
sortkey: 09


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